规格书WILLSEMI韦尔WHS3822Q

WPM1481：单P沟道、-12V、-5.1A功率MOSFET

产品描述：

    WPM1481是一款P沟道增强型MOS场效应晶体管。它采用了先进的沟槽技术和设计，以提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。这款器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品WPM1481为无铅产品。小型DFN2*2-6L封装。

产品特性：

· 沟槽技术

· 超高密度单元设计

· 出色的导通电阻

· 适用于更高的直流电流

· 极低的阈值电压

应用领域：

· 继电器、电磁阀、电机、LED等的驱动器

· DC-DC转换电路

· 电源开关

· 负载开关

· 充电应用  

     WPM1481是一款高性能的P沟道功率MOSFET，专为高电流应用而设计。其出色的RDS(ON)和极低的阈值电压使其成为DC-DC转换、电源开关和充电电路的理想选择。同时，其小型DFN2*2-6L封装使得它在空间受限的应用中也能发挥出色。WPM1481作为无铅产品，还符合环保要求。无论是用于驱动继电器、电磁阀、电机还是LED，WPM1481都能提供可靠且高效的性能。如需更详细的信息或技术规格，请查阅相关的数据手册或联系我们。 WH251E-3/TR 霍尔传感器 封装：TSOT-23-3L。规格书WILLSEMI韦尔WHS3822Q

RB521C30：肖特基势垒二极管

· 重复峰值反向电压 VRM 30 V

· 直流反向电压 VR 30 V

· 平均整流正向电流 IO 100 mA

产品特性：

     100mA平均整流正向电流：RB521C30具有出色的电流处理能力，能够处理高达100mA的平均整流正向电流，使其在需要稳定电流处理的电路中表现出色。

    低正向电压：肖特基势垒二极管以其低正向电压为特点，这意味着在正向偏置条件下，它需要的电压较低，从而降低了功耗。

   低漏电流：RB521C30的漏电流非常低，这有助于在关闭或待机状态下减少不必要的功耗。

   小型SOD-923封装：这款二极管采用紧凑的SOD-923封装，使其适合在空间受限的应用中使用，如便携式设备和小型电路板。

应用领域：

     RB521C30肖特基势垒二极管特别适合用于低电流整流应用。在电路中，它能够将交流信号转换为直流信号，这对于许多电子设备来说都是至关重要的。由于其低正向电压和低漏电流的特性，它特别适用于需要高效能和低功耗的场合，如电池供电的设备或需要长时间运行的系统。此外，其紧凑的封装形式也使得它成为空间受限应用的理想选择。如需更详细的信息或技术规格，请查阅相关的数据手册或联系我们。 中文资料WILLSEMI韦尔ESD56101D12ESD54231N-2/TR 静电和浪涌保护（TVS/ESD）封装：DFN1006-2L。

ESD5471X1线双向瞬态电压抑制器

产品描述：

     ESD5471X是一款双向瞬态电压抑制器（TVS）。它特别设计用于保护连接到电源线、低速数据线和控制线的敏感电子组件，免受由静电放电（ESD）、电气快速瞬态（EFT）和雷电引起的过应力影响。根据IEC61000-4-2标准，ESD5471X可用于提供高达±30kV（接触和空气放电）的ESD保护，并根据IEC61000-4-5标准承受高达6A的峰值脉冲电流（8/20μs）。ESD5471X采用FBP-02C封装。标准产品为无铅且无卤素。

产品特性：

反向截止电压：±5V

根据IEC61000-4-2（ESD）标准，每条线路的瞬态保护：±30kV（接触和空气放电）

IEC61000-4-4（EFT）：40A（5/50ns）

IEC61000-4-5（浪涌）：6A（8/20μs）

电容：CJ=9pF（典型值）

低漏电流

低钳位电压：VCL=12V（典型值）@IPP=16A（TLP）

固态硅技术

应用领域：

手机

平板电脑

笔记本电脑

其他便携式设备

网络通信设备

     ESD5471X是专为保护敏感电子组件设计的双向瞬态电压抑制器，能抵御静电放电、电气快速瞬态和雷电等过应力。其优越的保护能力和低漏电流特性使其成为手机、平板、笔记本等便携式设备及网络通信设备的理想保护元件。采用固态硅技术，既高性能又紧凑，方便集成。详情请查阅数据手册或联系我们。

    WS72551和WS72552系列放大器具有极低的偏移、漂移和偏置电流。其中，WS72551是单放大器，WS72552是双放大器，分别具有轨到轨的输入和输出摆动。所有放大器都保证在2.5V至5V的单电源下工作。72551/72552提供了之前只在昂贵的自动调零或斩波稳定放大器中才能找到的优势。这些新型零漂移放大器结合了低成本和高精度，并且不需要外部电容器。规格72551/72552适用于扩展的工业/汽车温度范围（-40°C至+125°C）。封装72551：MSOP-8  SOIC8和SOT23-5L。72552：MSOP-8  SOIC8。

    技术特性：偏移电压只有3μV，漂移为0.008μV/°C，使WS72551/WS72552非常适合于无法容忍误差源的应用。温度、位置和压力传感器、医疗设备和应变计放大器在其工作温度范围内几乎无漂移，因此受益匪浅。WS72551/WS72552提供的轨到轨输入和输出摆动使得高侧和低侧感测都变得容易。

应用领域：

温度传感器

压力传感器

精密电流感测

应变计放大器

医疗仪器

热电偶放大器

   WS72551/WS72552系列零漂移放大器具备极低偏移和漂移、高精度以及轨到轨输入输出摆动等特性，适用于温度、压力、电流感测等多种应用，为工程师提供高精度测量解决方案。紧凑封装使其成为空间受限应用的理想选择。如需更多信息，请查阅数据手册或联系我们。 WMM7037ATSN0-4/TR MEMS麦克风(硅麦)封装:LGA-4(3x3.8)。

    WL2803E系列是一种采用CMOS工艺制造的低压差线性稳压器，具有极低的压降、低静态电流和高电源抑制比（PSRR）等特点。在500mA的负载电流下，其压降只有130mV（典型值）。这使得它在需要高输出电流的消费者和网络应用中极具吸引力。

特性：

· 输入电压范围：2.5V至5.5V

· 输出电压范围：1.2V至3.3V，步长为0.1V

· 输出电流：500mAPSRR（电源抑制比）：在1KHz时为65dB

· 压降电压：在IOUT=0.5A时为130mV

· 输出噪声：100uV

· 静态电流：典型值为150μA

此外，WL2803E系列还具备热关断（OTP）和电流限制功能，以确保在异常条件下芯片和电源系统的稳定性。同时，采用微调技术保证输出电压精度在±2%以内。

应用：

· LCD电视

· 机顶盒（STB）

· 计算机、图形卡

· 网络通信设备

· 其他便携式电子设备

    WL2803E系列CMOSLDO为现代电子设备提供稳定电源，具有极

低压降、低静态电流和高电源抑制比，有效减少电源噪声干扰。宽输出电压范围和微调技术满足各种应用需求，适用于LCD电视、机顶盒和计算机通信设备。紧凑封装和环保设计使其易于集成。如需更多信息，请查阅数据手册或联系我们。 WNM3013-3/TR 场效应管(MOSFET) 封装：SOT-723。中文资料WILLSEMI韦尔WNMD2172A

WPM2341-3/TR 场效应管(MOSFET) 封装：SOT-23。规格书WILLSEMI韦尔WHS3822Q

WS4603E：可调电流限制、电源分配开关 

描述

   WS4603E是一款具有高侧开关和低导通电阻P-MOSFET的开关。其集成的电流限制功能可以限制大电容负载、过载电流和短路电流的涌入，从而保护电源。此外，WS4603E还集成了反向保护功能，当设备关闭时，可以消除开关上的任何反向电流流动。设备关闭时，输出自动放电，使输出电压迅速关闭。热关断功能可以保护设备和负载。WS4603E采用SOT-23-5L封装。标准产品无铅且不含卤素。

特性

1、输入电压范围：2.5~5.5V

2、主开关RON：80mΩ@VIN=5V

3、调整电流限制范围：0.4~2A（典型值）

4、电流限制精度：±20%

5、自动放电

6、反向阻断（无“体二极管”）

7、过温保护

应用

· USB外设

· USB Dongle

· USB 3G数据卡

· 3.3V或5V电源开关

· 3.3V或5V电源分配

    安美斯科技专注于国产电子元器件代理分销，可以提供样品供您测试。如有关于WS4603E的进一步问题或需求，请随时与我们联系。我们期待与您合作，为您提供优异的产品和服务。 规格书WILLSEMI韦尔WHS3822Q